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内存短缺到2030年,装机还等降价吗?
10月28日,SK海力士交出创纪录的营业利润:83.33万亿韩元,营业利润率80%。同一天它给出的判断是,随着AI基础设施投资继续扩大,全球存储芯片供不应求可能持续到2030年。 几乎同一时间,深圳华强北的柜台却在亏本卖内存,有商家卖一条亏一条。36氪今日头条这两件事不矛盾,它们说的不是同一个市场。SK海力士的“短缺到2030”,主要说的是AI服务器拉动的HBM、服务器DDR5和企业级SSD需求;
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内存短缺为什么看不到头?2027年产能已售罄,新产能要到2028
内存短缺为什么会持续这么久?答案其实已经写在原厂的财报电话会上:三星称2027年的HBM产能已经售罄,2028年整体DRAM供应还会继续紧张。 SK海力士在电话财报会议中说得更直白,未来三年的DRAM和HBM产能几乎售罄,并预计供不应求可能持续到2030年。 但真正解释“为什么这么久”的,是同一场合的另一句判断——存储市场整体仍供大于求。“售罄”和“过剩”同时成立,恰恰是答案本身:缺的不是总产能,
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内存短缺预计持续至2030年:这份预测为什么越推越晚
11月4日晚,"预计内存短缺持续至2030年"登上热搜。词条背后是一条当天流传的供应链消息:行业预计内存短缺将持续至2029—2030年,各家手机厂商的BOM(物料成本)采购价仍在一路走高。这个时间点并非空穴来风:10月28日,SK海力士在第三季度财报会上给出了同样的口径。真正值得追问的是,为什么短缺的终点一推再推,以及它最终落在谁的账单上。微博预测为什么一再后移短缺终点被不断延长,首先是需求端的
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美光展示其DRAM和NAND多代际产品路线图
美光科技举办了一场演讲,介绍其多代际产品路线图:DRAM方面,继续推进6F²微缩并实现埃级工艺控制,同时向3D DRAM过渡;HBM方面,从标准架构→定制架构→垂直架构(vHBM/vEIM)演进,以实现更高的带宽、容量和能效。NAND方面,通过G11(超过400层、晶圆对晶圆键合、约2倍密度)和AI级设计(高IOPS SLC和TSV堆叠的高带宽变体),让更多数据更靠近计算单元。美光DRAM路线图从
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