固态硬盘中的HMB技术

本文由值友LV5超电磁炮评测屋投稿

我们知道，固态硬盘一般由主控芯片、NAND闪存和DRAM闪存这三个主要部分组成。

主控芯片顾名思义便是作为整块固态硬盘的核心，对其他电子元件进行控制；NAND闪存也非常好理解，就是存放数据的地方；DRAM闪存则是一个数据缓冲的部分，作用是为了让固态硬盘的存储模式兼容于现有的操作系统，而设立的闪存交换层（FlashTranslation Layer，图中标红部分）

而HBM技术（全称Host Memory Buffer，主机内存缓冲技术），就是为了让SSD可以在没有DRAM闪存的情况下，借助主机的内存（memory）的高速读写搭建一个FTL，从而使没有DRAM闪存的SSD能够发挥出，跟自带DRAM闪存的SSD差不多的性能。

从NVMe1.2规范开始，均支持HMB主控进行主机内存缓冲，这也使得固态硬盘可以越做越小（其中一个好处啦），如东芝的BG4：

以上便是固态硬盘中HMB技术的解释了，谢谢～